低配置MCU

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主要特性如下:

高性能ARM? CortexTM-M0+ RISC CPU

  • 20MHz内核运行速度,两级指令流水结构

  • 56条Thumb? 指令集

-       硬件单周期32 x 32乘法指令

-       优化的单周期IO操作

  • 128KB Flash程序空间

  • 8KB RAM 数据空间

  • 优先级控制的中断嵌套响应机制

-      1个非屏蔽中断

-      1-32个可屏蔽中断源

  • 数据DMA传输

 

控制器特性

  • 4-20MHz外部晶体振荡时钟输入

  • 内核低功耗省电模式

  • 内置看门狗监控

  • 内置上电复位和低电压复位

  • Flash区具备ECC自动纠错功能

  • Flash擦写次数> 100000次,Flash数据保存>10年


低功耗指标

  • 运行功耗:

-     < 4mA @ 10MHz / 5V,典型值

-     < 2mA @ 10MHz / 2.7V,典型值


外设特性

  • 2个输入输出端口,单个引脚可编程输入内部上拉或下拉,输出开漏控制

-     PORT0

-     PORT1

  • 5个定时器:

-     24位系统时标定时器SYS_TICK

-     16位通用定时器TMR0、TMR2和TMR3

-     16位通用定时器TMR1,带3路输入捕捉和4路定时比较

  • 2个异步通讯端口,可编程波特率最高至57600 BPS,支持8或9位数据通讯,1位奇偶校验,1位起始位,0.5~2位停止位.支持DMA数据传输

-     UART0

-     UART1

  • 1个高速SPI主模式双向同步串行数据通讯接口,可编程时钟速率最高至8MHz,可编程4-16位宽度数据传输,并支持DMA

  • 1个I2C主模式串行数据总线通讯接口,可编程时钟速率最高至400KHz,8位数据传输

  • 1个10位分辨率ADC???/p>

-     4路外部模拟量输入

-     1路内置基准参考电压输入

-     转换速度500KSPS


工作环境

  • 供电电压范围:2.7 ~ 5.5 V

  • 工作环境温度:-40 ~ +85 ℃


开发和调试

  • 使用SWD两线式在线调试方式

  • 支持ARM?CoreSight?多断点和实时代码跟踪调试

  • 支持通用集成开发平台(Keil?, IAR?等)

  • 适用ARM?Cortex微控制器软件接口标准(CMSIS)